制造商
Rohm Semiconductor
制造商零件编号
RU1C001UNTCL
描述
MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 100μA
Vgs（最大值） ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7.1pF
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 UMT3F
封装/外壳 SC-85

宁波市磐瑞国际贸易有限公司

Rohm 晶体管 20V 0.1A UMT3F RU1C001UNTCL